8月下旬DRAM合约价续跌逾9%，台厂加快转型因应，力晶在瑞萨（Renesas）等代工客户因应日圆大涨，扩大委外代工挹注下，晶圆代工产线维持满载，标准型DRAM营收占比大降；南科、华亚科攻服务器等非标准型应用，也迈入收成。

    根据集邦科技25日报价，8月下旬2Gb DDR3芯片合约价跌9.16%，均价1.19美元；模块方面，2GB与4GB DDR3均价各为10.75、21.5美元，跌幅12.24%、8.51%；但现货价却出现强弹，昨天2Gb DDR3有效测试（eTT）芯片大涨逾5%。

    尽管合约价续跌，但随着现货价出现强涨落底讯号，DRAM族群昨天全面大涨，力晶、南科、华亚科等都逆势收红，南科更一度攻上涨停板。

    国内DRAM 厂加快转型之路，力晶专攻晶圆代工领域，相关产品线毛利率可达25%至40%，让力晶第二季亏损大减逾75% ，近期更成为日圆升值的受惠股，包括瑞萨等日本大厂扩大委外代工，力晶代工产线维持满载，营收占比大增。

    力晶先前已透过瑞萨，进军苹果供应链，由瑞萨取得苹果iPhone与iPad面板驱动IC订单，委由力晶12吋厂代工。目前12吋驱动IC代工，是力晶晶圆代工比重最大的业务。

   力晶表示，目前晶圆代工业务发展符合预期，每月投片量已超过4万片，转型之路顺利，但无法对接单与客户状况置评。

    据了解，力晶从事代工的两座12吋晶圆厂折旧已迈入尾声，旗下12A厂今年底至明年初折旧完毕，12B厂也将在明、后年完成折旧，是国内DRAM业最早折旧完的12吋厂，随着机台折旧完毕，后续挹注营运动能更强。

    南科、华亚科也强化非标准型产品布局，两家公司目标同为年底非标准型产品比重大于五成。南科非标准型内存产品打入大陆华为供应链，下半年整体消费型内存位出货量，将比上半年倍增，加上服务器、行动装置布局持续放大，有助降低标准型内存市况不佳冲击。